首次!我国芯片领域取得新突破,北大团队破解光刻技术难题
光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日,北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术,首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为,指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案
光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日,北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术,首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为,指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案
第九届国际先进光刻技术研讨会(IWAPS)在广东深圳顺利落下帷幕。九年时间,犹如白驹过隙,转瞬即逝,回顾IWAPS发展的九年历程,始终如一的专业坚守,为中国先进光刻技术发展持续注入动力。
第九届国际先进光刻技术研讨会(IWAPS)将于10月14-15日在深圳隆重举行!本次研讨会由中国集成电路创新联盟、中国光学学会主办,中国科学院微电子研究所、深圳市半导体与集成电路产业联盟(深芯盟)、南京诚芯集成电路技术研究院有限公司联合承办,诚邀全球业界精英共
俄罗斯科学院微观结构物理研究所近日发布了一项雄心勃勃的极紫外光刻技术发展规划,计划到2037年实现从40纳米到亚10纳米制程的完整技术覆盖。这一战略性布局不仅试图打破荷兰ASML公司在EUV光刻设备领域的绝对垄断,更采用了截然不同的技术路径,力图在全球半导体制
以 0.13μm 制程、4 个金属层的 CMOS 芯片为例,它的 474 道制造工序里,212 步与光刻曝光直接相关,105 步依赖光刻胶图案转移